BSZ017NE2LS5IATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ017NE2LS5IATMA1 par Infineon et BSC014N04LSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ017NE2LS5IATMA1 BSC014N04LSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,64 $0,41
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (TA) 27 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V 1.7 mΩ —
On-Resistance Test Current 20 A —
Gate-Source Voltage (VGS) Rating ±16 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2 V @ 250 µA —
Total Gate Charge Qg 30 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 2000 pF @ VDS=12V —
Power Dissipation (TA) 2.1 W 3 W
Power Dissipation (TC) 50 W 115 W
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Series / Family OptiMOS 5 25V —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC014N04LSTATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-Channel Trench)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V — 1.45 mΩ
R DS(on) typical @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Nombre de broches — 8
Niveau MSL — MSL1
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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