BTH60801EPLXUMA1 vs BTF3050TEATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTH60801EPLXUMA1 von Infineon und BTF3050TEATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTH60801EPLXUMA1 BTF3050TEATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,74 $1,38
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 1 —
Topologie High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump —
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V —
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
Gehäuse PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +150 °C (Tj) -40 C to +150 C
Montageart Surface Mount Surface Mount (DPAK tab)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100 qualified
RoHS-Status Compliant Compliant
Switch Type — N-Channel Low-Side Power Switch
Ausgangskonfiguration — 1:1 (Single channel)
Continuous Drain Current (ID) — 3 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 100 mOhm
Current Limit (Internal) — 30 A
Logic Input Voltage (Vcc) — 3.0 V to 5.5 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Turn-On Time Max — 15 us
Turn-Off Time Max — 30 us
Adjustable Slew Rate — Yes (SR pin)
ESD Protection — Yes (on-chip)
Family — HITFET+ (low-side)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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