BTH60801EPLXUMA1 vs BTF3050TEATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTH60801EPLXUMA1 por Infineon y BTF3050TEATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTH60801EPLXUMA1 BTF3050TEATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,74 $1,38
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 1 —
Topología High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump —
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V —
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
Encapsulado PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +150 °C (Tj) -40 C to +150 C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (DPAK tab)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100 qualified
Estado RoHS Compliant Compliant
Switch Type — N-Channel Low-Side Power Switch
Configuración de salida — 1:1 (Single channel)
Continuous Drain Current (ID) — 3 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 100 mOhm
Current Limit (Internal) — 30 A
Logic Input Voltage (Vcc) — 3.0 V to 5.5 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Turn-On Time Max — 15 us
Turn-Off Time Max — 30 us
Adjustable Slew Rate — Yes (SR pin)
ESD Protection — Yes (on-chip)
Family — HITFET+ (low-side)
Lead-Free — Yes

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