BTH60801EPLXUMA1 vs BTF3050TEATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTH60801EPLXUMA1 par Infineon et BTF3050TEATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTH60801EPLXUMA1 BTF3050TEATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,74 $1,38
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 1 —
Topologie High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump —
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V —
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
Boîtier PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +150 °C (Tj) -40 C to +150 C
Type de montage Surface Mount Surface Mount (DPAK tab)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100 qualified
Statut RoHS Compliant Compliant
Switch Type — N-Channel Low-Side Power Switch
Configuration de sortie — 1:1 (Single channel)
Continuous Drain Current (ID) — 3 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 100 mOhm
Current Limit (Internal) — 30 A
Logic Input Voltage (Vcc) — 3.0 V to 5.5 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Turn-On Time Max — 15 us
Turn-Off Time Max — 30 us
Adjustable Slew Rate — Yes (SR pin)
ESD Protection — Yes (on-chip)
Family — HITFET+ (low-side)
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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