BTS3011TEATMA1 vs BSP78HUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3011TEATMA1 von Infineon und BSP78HUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3011TEATMA1 BSP78HUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,62
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Number of Channels 1 —
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A Up to 3 A
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Gehäuse PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab
Anzahl der Pins 5 (4 + Tab) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 °C to +150 °C -40 °C to +150 °C
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified Qualified
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin Open-drain status flag
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant (Green product)
Technology — Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET)
Funktion — Self-protected low-side power switch
Operating Supply Voltage (Vbb) — 4.5 V to 42 V
On-state Resistance (Rds(on)) — 200 mΩ typical
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V compatible)
Current Limitation — Yes (internal)
Thermisches Abschalten — Yes (with auto-restart)
Overvoltage Protection — Yes (load-dump tolerant)
Short-circuit Protection — Yes
Overload Protection — Yes
ESD Protection — Yes (on input pin)

Datenblätter & Ressourcen

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