BTS3011TEATMA1 vs BSP78HUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3011TEATMA1 por Infineon y BSP78HUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3011TEATMA1 BSP78HUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,51 $0,62
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Number of Channels 1 —
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A Up to 3 A
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Encapsulado PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab
Número de pines 5 (4 + Tab) —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 °C to +150 °C -40 °C to +150 °C
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified Qualified
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin Open-drain status flag
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant (Green product)
Technology — Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET)
Función — Self-protected low-side power switch
Operating Supply Voltage (Vbb) — 4.5 V to 42 V
On-state Resistance (Rds(on)) — 200 mΩ typical
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V compatible)
Current Limitation — Yes (internal)
Apagado térmico — Yes (with auto-restart)
Overvoltage Protection — Yes (load-dump tolerant)
Short-circuit Protection — Yes
Overload Protection — Yes
ESD Protection — Yes (on input pin)

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