BTS3011TEATMA1 vs BSP78HUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS3011TEATMA1 par Infineon et BSP78HUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS3011TEATMA1 BSP78HUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,62
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Number of Channels 1 —
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A Up to 3 A
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Boîtier PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-SOT223-4 (TO-261-4) with exposed tab
Nombre de broches 5 (4 + Tab) —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C -40 °C to +150 °C
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified Qualified
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin Open-drain status flag
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant (Green product)
Technology — Smart SIPMOS (N-channel vertical power FET)
Fonction — Self-protected low-side power switch
Operating Supply Voltage (Vbb) — 4.5 V to 42 V
On-state Resistance (Rds(on)) — 200 mΩ typical
Input Logic Level — Logic-level (3.3 V / 5 V compatible)
Current Limitation — Yes (internal)
Arrêt thermique — Yes (with auto-restart)
Overvoltage Protection — Yes (load-dump tolerant)
Short-circuit Protection — Yes
Overload Protection — Yes
ESD Protection — Yes (on input pin)

Fiches techniques et ressources

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