BTS3035TFATMA1 vs BTS3050TFATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS3035TFATMA1 von Infineon und BTS3050TFATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS3035TFATMA1 BTS3050TFATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $1,02
Product Type Low-Side Power Switch —
Technology N-Channel MOSFET —
Number of Channels 1 —
Input Type CMOS Logic Level —
Continuous Drain Current 5 A 4 A
On-Resistance (RDS(on)) 30 mOhm (typical) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 40 V —
Operating Voltage Range 12 V nominal (load-dump tolerant to 40 V) —
Fault Protection Over-current, Short-circuit, Over-temperature, ESD —
Status Feedback Yes (open-drain diagnostic output) —
Reverse Battery Protection Integrated —
Betriebstemperaturbereich -40C to +150C (junction) —
Gehäuse PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (TO-252 / DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
RoHS-Status Compliant —
Automotive Grade AEC-Q100 qualified —
Part Number — BTS3050TFATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — HITFET Smart Low-Side Switch
Switch Type — N-Channel Low-Side Smart Power Switch
Anzahl der Ausgänge — 1
RDS(on) (typ) — 44 mOhm at 25 C
Load Voltage (max) — 5.5 V
Logic Input — CMOS compatible, logic-level
Status Output — Yes (fault feedback)
Protection Features — Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD
Betriebstemperatur — -40 C to +150 C (junction)
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

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