BTS3035TFATMA1 vs BTS3050TFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS3035TFATMA1 par Infineon et BTS3050TFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS3035TFATMA1 BTS3050TFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $1,02
Product Type Low-Side Power Switch —
Technology N-Channel MOSFET —
Number of Channels 1 —
Input Type CMOS Logic Level —
Continuous Drain Current 5 A 4 A
On-Resistance (RDS(on)) 30 mOhm (typical) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 40 V —
Operating Voltage Range 12 V nominal (load-dump tolerant to 40 V) —
Fault Protection Over-current, Short-circuit, Over-temperature, ESD —
Status Feedback Yes (open-drain diagnostic output) —
Reverse Battery Protection Integrated —
Plage de température de fonctionnement -40C to +150C (junction) —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (TO-252 / DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Statut RoHS Compliant —
Automotive Grade AEC-Q100 qualified —
Part Number — BTS3050TFATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — HITFET Smart Low-Side Switch
Switch Type — N-Channel Low-Side Smart Power Switch
Nombre de sorties — 1
RDS(on) (typ) — 44 mOhm at 25 C
Load Voltage (max) — 5.5 V
Logic Input — CMOS compatible, logic-level
Status Output — Yes (fault feedback)
Protection Features — Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD
Température de fonctionnement — -40 C to +150 C (junction)
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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