BTS3035TFATMA1 vs BTS3050TFATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3035TFATMA1 por Infineon y BTS3050TFATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3035TFATMA1 BTS3050TFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,61 $1,02
Product Type Low-Side Power Switch —
Technology N-Channel MOSFET —
Number of Channels 1 —
Input Type CMOS Logic Level —
Continuous Drain Current 5 A 4 A
On-Resistance (RDS(on)) 30 mOhm (typical) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 40 V —
Operating Voltage Range 12 V nominal (load-dump tolerant to 40 V) —
Fault Protection Over-current, Short-circuit, Over-temperature, ESD —
Status Feedback Yes (open-drain diagnostic output) —
Reverse Battery Protection Integrated —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +150C (junction) —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (TO-252 / DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Estado RoHS Compliant —
Automotive Grade AEC-Q100 qualified —
Part Number — BTS3050TFATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — HITFET Smart Low-Side Switch
Switch Type — N-Channel Low-Side Smart Power Switch
Número de salidas — 1
RDS(on) (typ) — 44 mOhm at 25 C
Load Voltage (max) — 5.5 V
Logic Input — CMOS compatible, logic-level
Status Output — Yes (fault feedback)
Protection Features — Over-current, Over-temperature, Over-voltage, ESD
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +150 C (junction)
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

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