BTS6133DAUMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTS6133DAUMA1 von Infineon und BSD235CH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTS6133DAUMA1 BSD235CH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,98 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BTS6133DAUMA1 —
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Technology SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC) OptiMOS™ low-voltage
Switch Configuration 1:1 (single high-side) —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Peak Drain Current 41 A —
Continuous Load Current 8 A —
Operating Voltage Range [DATA_NEEDED: VBB operating range] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C] —
Gehäuse PG-TO252-5-11 (DPAK-5) —
Pin-Anzahl 5 6
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40C to +150C -55 °C to +150 °C (junction)
Protection Features Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation —
Diagnostic Feedback Yes (status / fault pin) —
MSL-Level 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK) 1
RoHS-Status Compliant Compliant (lead-free)
AEC-Q100 Qualified AEC-Q100 qualified (automotive grade) —
Datasheet Document Size 257 Kbytes (15 pages) —
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement

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