BTS6133DAUMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BTS6133DAUMA1 por Infineon e BSD235CH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BTS6133DAUMA1 BSD235CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,98 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BTS6133DAUMA1 —
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Technology SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC) OptiMOS™ low-voltage
Switch Configuration 1:1 (single high-side) —
Número de saídas 1 —
Peak Drain Current 41 A —
Continuous Load Current 8 A —
Operating Voltage Range [DATA_NEEDED: VBB operating range] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C] —
Encapsulamento PG-TO252-5-11 (DPAK-5) —
Contagem de pinos 5 6
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40C to +150C -55 °C to +150 °C (junction)
Protection Features Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation —
Diagnostic Feedback Yes (status / fault pin) —
Nível MSL 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK) 1
Status RoHS Compliant Compliant (lead-free)
AEC-Q100 Qualified AEC-Q100 qualified (automotive grade) —
Datasheet Document Size 257 Kbytes (15 pages) —
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement

Fichas técnicas e recursos

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