BTS6133DAUMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BTS6133DAUMA1 제조: Infineon 및 BSD235CH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BTS6133DAUMA1 BSD235CH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.98 $0.12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BTS6133DAUMA1 —
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Technology SIPMOS (N-channel MOSFET with control IC) OptiMOS™ low-voltage
Switch Configuration 1:1 (single high-side) —
출력 수 1 —
Peak Drain Current 41 A —
Continuous Load Current 8 A —
Operating Voltage Range [DATA_NEEDED: VBB operating range] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C] —
패키지 PG-TO252-5-11 (DPAK-5) —
핀 수 5 6
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -40C to +150C -55 °C to +150 °C (junction)
Protection Features Over-temperature, short-circuit, overload, under-voltage, over-voltage, current limitation —
Diagnostic Feedback Yes (status / fault pin) —
MSL 레벨 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for DPAK) 1
RoHS 상태 Compliant Compliant (lead-free)
AEC-Q100 Qualified AEC-Q100 qualified (automotive grade) —
Datasheet Document Size 257 Kbytes (15 pages) —
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement

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