BTT62001ENAXUMA1 vs BTT60101ERBXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BTT62001ENAXUMA1 von Infineon und BTT60101ERBXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BTT62001ENAXUMA1 BTT60101ERBXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,72 $2,24
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Topologie 1:1 N-Channel High-Side N-Channel vertical MOSFET with charge pump
On-State Resistance (Ron) 200 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 1.5 A 9 A
Operating Voltage Range 5 V to 48 V —
Technology Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
Gehäuse PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin Status pin (ST) and current sense (IS)
Lamp Drive Capability 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V —
Betriebstemperatur -40 °C to +150 °C junction —
MSL-Level 2A (4 weeks) —
ECCN EAR99 —
REACH Status REACH Unaffected —
Number of Channels — 1
On-State Resistance (Typ) — 10 mΩ
Supply Voltage Range — 5 V to 36 V
Reverse Battery Protection — up to -36 V
Betriebstemperaturbereich — -40 °C to +150 °C
Input Control Logic — Active High
Process Technology — Infineon Smart6
Targeted Lamp Load — 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V
Compliance — RoHS

Datenblätter & Ressourcen

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