BTT62001ENAXUMA1 vs BTT60101ERBXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BTT62001ENAXUMA1 por Infineon e BTT60101ERBXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BTT62001ENAXUMA1 BTT60101ERBXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,72 $2,24
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Topologia 1:1 N-Channel High-Side N-Channel vertical MOSFET with charge pump
On-State Resistance (Ron) 200 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 1.5 A 9 A
Operating Voltage Range 5 V to 48 V —
Technology Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
Encapsulamento PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin Status pin (ST) and current sense (IS)
Lamp Drive Capability 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V —
Temperatura de operação -40 °C to +150 °C junction —
Nível MSL 2A (4 weeks) —
ECCN EAR99 —
REACH Status REACH Unaffected —
Number of Channels — 1
On-State Resistance (Typ) — 10 mΩ
Supply Voltage Range — 5 V to 36 V
Reverse Battery Protection — up to -36 V
Faixa de temperatura de operação — -40 °C to +150 °C
Input Control Logic — Active High
Process Technology — Infineon Smart6
Targeted Lamp Load — 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V
Compliance — RoHS

Fichas técnicas e recursos

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