BTT62001ENAXUMA1 vs BTT60101ERBXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTT62001ENAXUMA1 por Infineon y BTT60101ERBXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTT62001ENAXUMA1 BTT60101ERBXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,72 $2,24
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Topología 1:1 N-Channel High-Side N-Channel vertical MOSFET with charge pump
On-State Resistance (Ron) 200 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 1.5 A 9 A
Operating Voltage Range 5 V to 48 V —
Technology Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
Encapsulado PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin Status pin (ST) and current sense (IS)
Lamp Drive Capability 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V —
Temperatura de funcionamiento -40 °C to +150 °C junction —
Nivel MSL 2A (4 weeks) —
ECCN EAR99 —
REACH Status REACH Unaffected —
Number of Channels — 1
On-State Resistance (Typ) — 10 mΩ
Supply Voltage Range — 5 V to 36 V
Reverse Battery Protection — up to -36 V
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 °C to +150 °C
Input Control Logic — Active High
Process Technology — Infineon Smart6
Targeted Lamp Load — 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V
Compliance — RoHS

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