CY14B101J2 vs CY14B101J2-SXI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CY14B101J2 von Infineon und CY14B101J2-SXI von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter CY14B101J2 CY14B101J2-SXI
Marke Infineon Infineon
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,19 $3,40
Speichertyp nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Density 1 Mbit (1049 kbits) 1049 kbits
Speicherorganisation 128K x 8 128K x 8
Schnittstelle I2C (Serial) I2C Serial (2-wire)
Max Clock Frequency 3.4 MHz —
Data Retention 20 years 20 years
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: supply voltage range] [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Store Cycles [DATA_NEEDED: minimum non-volatile store cycles] —
SRAM Read/Write Cycles Unlimited (per nvSRAM architecture) —
Address Pins A0, A1, A2 —
Automatic Store Yes (internal power-fail detection) —
Gehäuse 16-SOIC (MO-119, 0.300 inch) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS-Status RoHS Compliant RoHS Compliant
Real Time Clock [DATA_NEEDED: RTC availability] —
Speichergröße — 1 Mbit
Maximale Taktfrequenz — 3.4 MHz
Package Type — 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family)
Write Endurance — Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance]
Store Mechanism — Software / auto-store with external VCAP capacitor
Packaging — Tube

Datenblätter & Ressourcen

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