CY14B101J2 vs CY14B101J2-SXI 비교

다음의 상세 나란히 비교: CY14B101J2 제조: Infineon 및 CY14B101J2-SXI 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 CY14B101J2 CY14B101J2-SXI
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.19 $3.40
메모리 유형 nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Density 1 Mbit (1049 kbits) 1049 kbits
메모리 구성 128K x 8 128K x 8
인터페이스 I2C (Serial) I2C Serial (2-wire)
Max Clock Frequency 3.4 MHz —
Data Retention 20 years 20 years
공급 전압 [DATA_NEEDED: supply voltage range] [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Store Cycles [DATA_NEEDED: minimum non-volatile store cycles] —
SRAM Read/Write Cycles Unlimited (per nvSRAM architecture) —
Address Pins A0, A1, A2 —
Automatic Store Yes (internal power-fail detection) —
패키지 16-SOIC (MO-119, 0.300 inch) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 상태 RoHS Compliant RoHS Compliant
Real Time Clock [DATA_NEEDED: RTC availability] —
메모리 크기 — 1 Mbit
최대 클록 주파수 — 3.4 MHz
Package Type — 8-SOIC (0.300 inch, MO-119 family)
Write Endurance — Unlimited SRAM reads/writes; non-volatile STORE endurance [DATA_NEEDED: STORE endurance]
Store Mechanism — Software / auto-store with external VCAP capacitor
Packaging — Tube

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