EDB2432B4MA-1DAUT-F-D vs EDB2432B4MA-1DAUT-F-R Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EDB2432B4MA-1DAUT-F-D von Micron Technology und EDB2432B4MA-1DAUT-F-R von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D - 2Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-D ✓ Aktiv
Micron Technology
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R EDB2432B4MA-1DAUT-F-R - 2Gbit LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

EDB2432B4MA-1DAUT-F-R - 2Gbit LPDDR2 DRAM 533MHz | Micron

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Spezifikationsvergleich

Parameter EDB2432B4MA-1DAUT-F-D EDB2432B4MA-1DAUT-F-R
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,43 $13,65
Speichertyp Volatile Memory - DRAM LPDDR2 SDRAM (DRAM, mobile LPDDR2)
Technology SDRAM - Mobile LPDDR2 —
Speichergröße 2 Gbit (64M x 32) 2 Gbit
Speicherorganisation 64M x 32 64M x 32
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Schnittstelle Parallel Parallel
Gehäuse 134-VFBGA (10 x 11.5 mm) —
Package Construction DDP (Double-Die Package) —
Betriebstemperatur -40C to +125C (Automotive) -40C to +125C
Montageart Surface Mount Surface Mount
Marking Code D9WVG —
Part Status Active —
Lead-Free Status Lead free (-F suffix) —
Halogen-Free Status Halogen free (-F suffix) —
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] —
Write Cycle Time - Word, Page [DATA_NEEDED: write cycle time] —
Supply Voltage (Min) — 1.14 V
Supply Voltage (Max) — 1.3 V
Gehäuse / Bauform — 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
Die Package Configuration — DDP (Double Die Package)
Grade — Automotive (AUT)
Terminal Count — 134
Memory Circuits — 1
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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