EP2A40B652C9 vs EP2A70B652C8 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP2A40B652C9 von Intel und EP2A70B652C8 von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP2A40B652C9 EP2A70B652C8
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Obsolete Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $92,40 $275,00
Family APEX II APEX II
Maximum System Gates 1.5 M (40K logic elements) —
Logic Elements 40,160 67200
Embedded System Blocks Yes (dual-port RAM, ROM, CAM) —
Maximum User I/O Pins [DATA_NEEDED: user I/O count] [DATA_NEEDED: per BGA-652 pinout]
Gehäuse 652-pin BGA 652-ball BGA
Process Technology 0.18 µm CMOS —
Core Voltage 1.5 V —
Supply Voltage (I/O) 3.3 V (multi-standard I/O supported) —
Betriebstemperatur -40C to +85C (industrial, C9 suffix) 0C to +85C (commercial)
Configuration Method SRAM-based, serial/parallel, JTAG IEEE 1149.1 —
I/O Standards Supported LVTTL, LVCMOS, PCI, GTL+, SSTL, LVDS —
PLL Count [DATA_NEEDED: PLL count] —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
MSL-Level 3 (168 hours floor life) [DATA_NEEDED]
RoHS-Status unknown [DATA_NEEDED]
Typical Gates — 1,125,000
Embedded Memory (bits) — 4,096,000
Embedded Memory Blocks — [DATA_NEEDED: number of EABs/M512/M4K blocks]
PLLs — 4
Speed Grade — -8
Process Node — 0.15 um CMOS SRAM
Supply Voltage Core — [DATA_NEEDED: VCCINT]
Configuration Mode — Passive Serial / Parallel / JTAG

Datenblätter & Ressourcen

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