EP2A40B652C9 vs EP2A70B652C8 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP2A40B652C9 par Intel et EP2A70B652C8 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP2A40B652C9 EP2A70B652C8
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $92,40 $275,00
Family APEX II APEX II
Maximum System Gates 1.5 M (40K logic elements) —
Logic Elements 40,160 67200
Embedded System Blocks Yes (dual-port RAM, ROM, CAM) —
Maximum User I/O Pins [DATA_NEEDED: user I/O count] [DATA_NEEDED: per BGA-652 pinout]
Boîtier 652-pin BGA 652-ball BGA
Process Technology 0.18 µm CMOS —
Core Voltage 1.5 V —
Supply Voltage (I/O) 3.3 V (multi-standard I/O supported) —
Température de fonctionnement -40C to +85C (industrial, C9 suffix) 0C to +85C (commercial)
Configuration Method SRAM-based, serial/parallel, JTAG IEEE 1149.1 —
I/O Standards Supported LVTTL, LVCMOS, PCI, GTL+, SSTL, LVDS —
PLL Count [DATA_NEEDED: PLL count] —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Niveau MSL 3 (168 hours floor life) [DATA_NEEDED]
Statut RoHS unknown [DATA_NEEDED]
Typical Gates — 1,125,000
Embedded Memory (bits) — 4,096,000
Embedded Memory Blocks — [DATA_NEEDED: number of EABs/M512/M4K blocks]
PLLs — 4
Speed Grade — -8
Process Node — 0.15 um CMOS SRAM
Supply Voltage Core — [DATA_NEEDED: VCCINT]
Configuration Mode — Passive Serial / Parallel / JTAG

Fiches techniques et ressources

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