EP2A40B652C9 vs EP2A70B652C8 Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP2A40B652C9 por Intel y EP2A70B652C8 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP2A40B652C9 EP2A70B652C8
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Obsolete Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $92,40 $275,00
Family APEX II APEX II
Maximum System Gates 1.5 M (40K logic elements) —
Logic Elements 40,160 67200
Embedded System Blocks Yes (dual-port RAM, ROM, CAM) —
Maximum User I/O Pins [DATA_NEEDED: user I/O count] [DATA_NEEDED: per BGA-652 pinout]
Encapsulado 652-pin BGA 652-ball BGA
Process Technology 0.18 µm CMOS —
Core Voltage 1.5 V —
Supply Voltage (I/O) 3.3 V (multi-standard I/O supported) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +85C (industrial, C9 suffix) 0C to +85C (commercial)
Configuration Method SRAM-based, serial/parallel, JTAG IEEE 1149.1 —
I/O Standards Supported LVTTL, LVCMOS, PCI, GTL+, SSTL, LVDS —
PLL Count [DATA_NEEDED: PLL count] —
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Nivel MSL 3 (168 hours floor life) [DATA_NEEDED]
Estado RoHS unknown [DATA_NEEDED]
Typical Gates — 1,125,000
Embedded Memory (bits) — 4,096,000
Embedded Memory Blocks — [DATA_NEEDED: number of EABs/M512/M4K blocks]
PLLs — 4
Speed Grade — -8
Process Node — 0.15 um CMOS SRAM
Supply Voltage Core — [DATA_NEEDED: VCCINT]
Configuration Mode — Passive Serial / Parallel / JTAG

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