EP4CE15F23C8N vs EP4CE15U14A7N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP4CE15F23C8N von Intel und EP4CE15U14A7N von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP4CE15F23C8N EP4CE15U14A7N
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $33,10 $43,50
Series Cyclone IV E —
Logic Elements 15,408 —
Embedded Memory Bits 516,096 bits (63 KBytes) —
Embedded Multipliers (18x18) 343 —
General-purpose PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins 343 —
Gehäuse 484-BGA (FineLine BGA, F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) 256-ball UBGA (Ultra-FineLine BGA)
Process Technology 60 nm low-leakage CMOS —
Core Voltage (VCCINT) 1.0 V to 1.2 V —
I/O Bank Voltage (VCCIO) 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
Betriebstemperatur 0C to 85C (Commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Speed Grade C8 (commercial, 8 ns internal timing) 7
Configuration Modes AS / PS / JTAG / FPP JTAG, AS, AP, PS
Montageart Surface Mount (BGA) —
MSL-Level MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant (per distributor listings)
Hard IP Blocks PCIe Gen1 root port, external memory interface —
Embedded Memory Type M9K (9 Kbit each) —
Family — Cyclone IV E
Logic Elements (LE) — 15,408
Total Memory Bits — 516,096 bits
Embedded 18x18 Multipliers — 56
General-Purpose PLLs — 4
Maximum User I/Os — 165
Core Voltage — 1.2 V
Process Node — 60 nm low-power
Bitstream Encryption — AES-128 (security-enhanced variant)
External Memory Support — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II

Datenblätter & Ressourcen

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