EP4CE15F23C8N vs EP4CE15U14A7N 비교

다음의 상세 나란히 비교: EP4CE15F23C8N 제조: Intel 및 EP4CE15U14A7N 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 EP4CE15F23C8N EP4CE15U14A7N
브랜드 Intel Intel
카테고리 FPGA & CPLD FPGA & CPLD
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $33.10 $43.50
Series Cyclone IV E —
Logic Elements 15,408 —
Embedded Memory Bits 516,096 bits (63 KBytes) —
Embedded Multipliers (18x18) 343 —
General-purpose PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins 343 —
패키지 484-BGA (FineLine BGA, F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) 256-ball UBGA (Ultra-FineLine BGA)
Process Technology 60 nm low-leakage CMOS —
Core Voltage (VCCINT) 1.0 V to 1.2 V —
I/O Bank Voltage (VCCIO) 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
동작 온도 0C to 85C (Commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Speed Grade C8 (commercial, 8 ns internal timing) 7
Configuration Modes AS / PS / JTAG / FPP JTAG, AS, AP, PS
실장 유형 Surface Mount (BGA) —
MSL 레벨 MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant Compliant (per distributor listings)
Hard IP Blocks PCIe Gen1 root port, external memory interface —
Embedded Memory Type M9K (9 Kbit each) —
Family — Cyclone IV E
Logic Elements (LE) — 15,408
Total Memory Bits — 516,096 bits
Embedded 18x18 Multipliers — 56
General-Purpose PLLs — 4
Maximum User I/Os — 165
Core Voltage — 1.2 V
Process Node — 60 nm low-power
Bitstream Encryption — AES-128 (security-enhanced variant)
External Memory Support — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청