EP4CE55F29I8LN vs EP4CE55F29I8N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP4CE55F29I8LN von Intel und EP4CE55F29I8N von Altera. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP4CE55F29I8LN EP4CE55F29I8N
Marke Intel Altera
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $165,00 $195,00
Family Cyclone IV E —
Device Model EP4CE55 —
Logic Elements (LEs) 55,856 55,856
Logic Array Blocks (LABs) 3,135 —
Total Embedded Memory Bits 2,396,160 bits —
Embedded Memory (M9K blocks) 260 blocks —
18x18 Hardware Multipliers 374 —
PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins 374 [DATA_NEEDED: maximum user I/O count for F29 package]
Core Voltage 1.2 V —
Process Technology 60 nm TSMC low-power 60 nm low-power CMOS
Gehäuse 780-ball FBGA (F29) 780-ball FBGA (F29, 29x29 mm)
Ball Pitch 1.0 mm —
Betriebstemperatur -40C to +85C (Industrial) -40C to +100C (Industrial grade, suffix I)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Lead-Free / RoHS Yes (per OPN suffix N) —
Configuration Modes JTAG, AS, PS, FPP Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG, Fast Passive Parallel (FPP)
Supported I/O Standards LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL, HSTL —
Series — Cyclone IV E
Embedded Memory (bits) — 2,396,160
Embedded 18x18 Multipliers — 374
General-Purpose PLLs — 4
Supply Voltage Core — 1.0 V (typical, VCCINT)
I/O Bank Supply Voltages — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V
External Memory Interfaces — DDR, DDR2, SDR, QDRII, QDRII+ SRAM
Differential I/O Standards — LVDS, RSDS, mini-LVDS, LVPECL (receive)
RoHS-Status — Compliant

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