EP4CE55F29I8LN vs EP4CE55F29I8N Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP4CE55F29I8LN por Intel y EP4CE55F29I8N por Altera. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP4CE55F29I8LN EP4CE55F29I8N
Marca Intel Altera
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $165,00 $195,00
Family Cyclone IV E —
Device Model EP4CE55 —
Logic Elements (LEs) 55,856 55,856
Logic Array Blocks (LABs) 3,135 —
Total Embedded Memory Bits 2,396,160 bits —
Embedded Memory (M9K blocks) 260 blocks —
18x18 Hardware Multipliers 374 —
PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins 374 [DATA_NEEDED: maximum user I/O count for F29 package]
Core Voltage 1.2 V —
Process Technology 60 nm TSMC low-power 60 nm low-power CMOS
Encapsulado 780-ball FBGA (F29) 780-ball FBGA (F29, 29x29 mm)
Ball Pitch 1.0 mm —
Temperatura de funcionamiento -40C to +85C (Industrial) -40C to +100C (Industrial grade, suffix I)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Lead-Free / RoHS Yes (per OPN suffix N) —
Configuration Modes JTAG, AS, PS, FPP Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG, Fast Passive Parallel (FPP)
Supported I/O Standards LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL, HSTL —
Series — Cyclone IV E
Embedded Memory (bits) — 2,396,160
Embedded 18x18 Multipliers — 374
General-Purpose PLLs — 4
Supply Voltage Core — 1.0 V (typical, VCCINT)
I/O Bank Supply Voltages — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V
External Memory Interfaces — DDR, DDR2, SDR, QDRII, QDRII+ SRAM
Differential I/O Standards — LVDS, RSDS, mini-LVDS, LVPECL (receive)
Estado RoHS — Compliant

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