EP4CE55F29I8LN vs EP4CE55F29I8N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE55F29I8LN par Intel et EP4CE55F29I8N par Altera. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP4CE55F29I8LN EP4CE55F29I8N
Marque Intel Altera
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $165,00 $195,00
Family Cyclone IV E —
Device Model EP4CE55 —
Logic Elements (LEs) 55,856 55,856
Logic Array Blocks (LABs) 3,135 —
Total Embedded Memory Bits 2,396,160 bits —
Embedded Memory (M9K blocks) 260 blocks —
18x18 Hardware Multipliers 374 —
PLLs 4 —
Maximum User I/O Pins 374 [DATA_NEEDED: maximum user I/O count for F29 package]
Core Voltage 1.2 V —
Process Technology 60 nm TSMC low-power 60 nm low-power CMOS
Boîtier 780-ball FBGA (F29) 780-ball FBGA (F29, 29x29 mm)
Ball Pitch 1.0 mm —
Température de fonctionnement -40C to +85C (Industrial) -40C to +100C (Industrial grade, suffix I)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Lead-Free / RoHS Yes (per OPN suffix N) —
Configuration Modes JTAG, AS, PS, FPP Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG, Fast Passive Parallel (FPP)
Supported I/O Standards LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL, HSTL —
Series — Cyclone IV E
Embedded Memory (bits) — 2,396,160
Embedded 18x18 Multipliers — 374
General-Purpose PLLs — 4
Supply Voltage Core — 1.0 V (typical, VCCINT)
I/O Bank Supply Voltages — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V
External Memory Interfaces — DDR, DDR2, SDR, QDRII, QDRII+ SRAM
Differential I/O Standards — LVDS, RSDS, mini-LVDS, LVPECL (receive)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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