EP4CE6F17C8L vs EP4CE10F17C8N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP4CE6F17C8L von Intel und EP4CE10F17C8N von Altera. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP4CE6F17C8L EP4CE10F17C8N
Marke Intel Altera
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $11,10 $17,95
Series Cyclone IV E —
Logic Elements / Cells 6,272 —
Number of CLBs 392 —
Number of Logic Elements / Cells 6,272 —
Total RAM Bits 270,000 —
Number of I/O 179 max —
Number of Gates [DATA_NEEDED: gate count for EP4CE6] —
Voltage - Supply 1.0 V core, 2.5 V / 3.3 V I/O —
Betriebstemperatur 0C to +85C (commercial, L grade) 0C to +85C (Commercial)
Speed Grade C8 (commercial speed grade 8) —
Gehäuse / Bauform 256-LBGA, 17 x 17 mm, 1.0 mm pitch (F17) —
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Number of LABs/CLBs 392 —
Embedded Multipliers (18x18) 15 23
PLLs 4 4
Configuration Memory External (EPCS / EPCQ serial flash) —
MSL-Level 3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Family — Cyclone IV E
Logic Elements (LEs) — 10320
Embedded Memory — 423936 bits (414 Kbit)
Maximum User I/Os — 179
Core Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V to 3.3 V
Maximum Internal Frequency — 402 MHz
Process Technology — 60 nm low-power SRAM
Gehäuse — 256-FBGA (F17), 17x17 mm
Configuration Method — SRAM, requires external EPCS/EPCQ flash

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