EP4CE6F17C8L vs EP4CE10F17C8N Comparação

Comparação detalhada lado a lado de EP4CE6F17C8L por Intel e EP4CE10F17C8N por Altera. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro EP4CE6F17C8L EP4CE10F17C8N
Marca Intel Altera
Categoria FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $11,10 $17,95
Series Cyclone IV E —
Logic Elements / Cells 6,272 —
Number of CLBs 392 —
Number of Logic Elements / Cells 6,272 —
Total RAM Bits 270,000 —
Number of I/O 179 max —
Number of Gates [DATA_NEEDED: gate count for EP4CE6] —
Voltage - Supply 1.0 V core, 2.5 V / 3.3 V I/O —
Temperatura de operação 0C to +85C (commercial, L grade) 0C to +85C (Commercial)
Speed Grade C8 (commercial speed grade 8) —
Encapsulamento / Caixa 256-LBGA, 17 x 17 mm, 1.0 mm pitch (F17) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Number of LABs/CLBs 392 —
Embedded Multipliers (18x18) 15 23
PLLs 4 4
Configuration Memory External (EPCS / EPCQ serial flash) —
Nível MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Family — Cyclone IV E
Logic Elements (LEs) — 10320
Embedded Memory — 423936 bits (414 Kbit)
Maximum User I/Os — 179
Core Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V to 3.3 V
Maximum Internal Frequency — 402 MHz
Process Technology — 60 nm low-power SRAM
Encapsulamento — 256-FBGA (F17), 17x17 mm
Configuration Method — SRAM, requires external EPCS/EPCQ flash

Fichas técnicas e recursos

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