EP4CE6F17C8L vs EP4CE10F17C8N 비교

다음의 상세 나란히 비교: EP4CE6F17C8L 제조: Intel 및 EP4CE10F17C8N 제조: Altera. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 EP4CE6F17C8L EP4CE10F17C8N
브랜드 Intel Altera
카테고리 FPGA & CPLD FPGA & CPLD
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $11.10 $17.95
Series Cyclone IV E —
Logic Elements / Cells 6,272 —
Number of CLBs 392 —
Number of Logic Elements / Cells 6,272 —
Total RAM Bits 270,000 —
Number of I/O 179 max —
Number of Gates [DATA_NEEDED: gate count for EP4CE6] —
Voltage - Supply 1.0 V core, 2.5 V / 3.3 V I/O —
동작 온도 0C to +85C (commercial, L grade) 0C to +85C (Commercial)
Speed Grade C8 (commercial speed grade 8) —
패키지 / 케이스 256-LBGA, 17 x 17 mm, 1.0 mm pitch (F17) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Number of LABs/CLBs 392 —
Embedded Multipliers (18x18) 15 23
PLLs 4 4
Configuration Memory External (EPCS / EPCQ serial flash) —
MSL 레벨 3 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Family — Cyclone IV E
Logic Elements (LEs) — 10320
Embedded Memory — 423936 bits (414 Kbit)
Maximum User I/Os — 179
Core Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V to 3.3 V
Maximum Internal Frequency — 402 MHz
Process Technology — 60 nm low-power SRAM
패키지 — 256-FBGA (F17), 17x17 mm
Configuration Method — SRAM, requires external EPCS/EPCQ flash

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청