EPF6010ATC100-3N vs EPF6016ATC100-3 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EPF6010ATC100-3N von Intel und EPF6016ATC100-3 von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Intel
EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Letzte Bestellmöglichkeit

Spezifikationsvergleich

Parameter EPF6010ATC100-3N EPF6016ATC100-3
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Letzte Kaufgelegenheit NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,95 $11,40
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Logic Elements / Cells 880 —
Equivalent Gate Count 10,000 gates —
Logic Array Blocks (LABs) 88 —
User I/Os 71 81
Supply Voltage (Operating) 3.0 V to 3.6 V —
Maximum Internal Frequency 142.86 MHz —
Process Technology 0.42 µm CMOS 0.42 µm CMOS SRAM
Speed Grade -3 -3
Gehäuse 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm) 100-pin TQFP
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0 °C to +70 °C (commercial) 0°C to 85°C
Programming Method In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster —
MSL-Level 3 (168 hours) —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: current RoHS status - older FLEX 6000 parts often non-RoHS]
Device Type — FPGA (Field Programmable Gate Array)
Logic Elements (LEs) — 1320
Typical Gates — 16000
Internal Frequency — 142.86 MHz
Supply Voltage (Core) — 3.3 V
Pin-Anzahl — 100
Configuration Method — SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), ByteBlaster/BitBlaster

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern