EPF6010ATC100-3N vs EPF6016ATC100-3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF6010ATC100-3N par Intel et EPF6016ATC100-3 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Intel
EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Dernier achat

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF6010ATC100-3N EPF6016ATC100-3
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Dernier achat NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,95 $11,40
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Logic Elements / Cells 880 —
Equivalent Gate Count 10,000 gates —
Logic Array Blocks (LABs) 88 —
User I/Os 71 81
Supply Voltage (Operating) 3.0 V to 3.6 V —
Maximum Internal Frequency 142.86 MHz —
Process Technology 0.42 µm CMOS 0.42 µm CMOS SRAM
Speed Grade -3 -3
Boîtier 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm) 100-pin TQFP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 0 °C to +70 °C (commercial) 0°C to 85°C
Programming Method In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster —
Niveau MSL 3 (168 hours) —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: current RoHS status - older FLEX 6000 parts often non-RoHS]
Device Type — FPGA (Field Programmable Gate Array)
Logic Elements (LEs) — 1320
Typical Gates — 16000
Internal Frequency — 142.86 MHz
Supply Voltage (Core) — 3.3 V
Nombre de broches — 100
Configuration Method — SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), ByteBlaster/BitBlaster

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis