EPF6010ATC100-3N vs EPF6016ATC100-3 Comparación
Comparación detallada lado a lado de EPF6010ATC100-3N por Intel y EPF6016ATC100-3 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Intel
EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel
EPF6010ATC100-3N ⚠ Última compraComparación de especificaciones
| Parámetro | EPF6010ATC100-3N | EPF6016ATC100-3 |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Intel |
| Categoría | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Estado del ciclo de vida | Última compra | NRND |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,95 | $11,40 |
| Family | FLEX 6000 | FLEX 6000 |
| Logic Elements / Cells | 880 | — |
| Equivalent Gate Count | 10,000 gates | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 88 | — |
| User I/Os | 71 | 81 |
| Supply Voltage (Operating) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| Maximum Internal Frequency | 142.86 MHz | — |
| Process Technology | 0.42 µm CMOS | 0.42 µm CMOS SRAM |
| Speed Grade | -3 | -3 |
| Encapsulado | 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm) | 100-pin TQFP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C to +70 °C (commercial) | 0°C to 85°C |
| Programming Method | In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster | — |
| Nivel MSL | 3 (168 hours) | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: current RoHS status - older FLEX 6000 parts often non-RoHS] |
| Device Type | — | FPGA (Field Programmable Gate Array) |
| Logic Elements (LEs) | — | 1320 |
| Typical Gates | — | 16000 |
| Internal Frequency | — | 142.86 MHz |
| Supply Voltage (Core) | — | 3.3 V |
| Recuento de pines | — | 100 |
| Configuration Method | — | SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), ByteBlaster/BitBlaster |