H58G56AK6QX032N vs MT53E2G64D8TN-046 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H58G56AK6QX032N von SK hynix und MT53E2G64D8TN-046 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H58G56AK6QX032N MT53E2G64D8TN-046
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $13,40 $0,00
Speichertyp LPDDR5 SDRAM Mobile LPDDR4X SDRAM
Density 32Gb (4GB) —
Speicherorganisation 512M x 64 2G x 64
Datenrate 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
Gehäuse FBGA-315 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
Speichergröße — 128 Gbit (16 GB)
Schnittstelle — Parallel
Clock Frequency — 2.133 GHz
Access Time — 3.5 ns
Speed Grade — -046 (4266 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V / 1.8 V (per variant)
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch]
Operating Temperature (AAT:C) — 0C to +95C
Operating Temperature (AIT:C) — -40C to +95C
Operating Temperature (AUT:C) — -40C to +105C
Automotive Qualification (AUT variant) — AEC-Q100 qualified
Datenbusbreite — 64 bit
Write Cycle Time — 18 ns

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