H58G56AK6QX032N vs MT53E2G64D8TN-046 比較

詳細な並列比較: H58G56AK6QX032N メーカー: SK hynix および MT53E2G64D8TN-046 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron

MT53E2G64D8TN-046 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H58G56AK6QX032N MT53E2G64D8TN-046
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $13.40 $0.00
メモリタイプ LPDDR5 SDRAM Mobile LPDDR4X SDRAM
Density 32Gb (4GB) —
メモリ構成 512M x 64 2G x 64
データレート 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
パッケージ FBGA-315 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
メモリサイズ — 128 Gbit (16 GB)
インターフェース — Parallel
Clock Frequency — 2.133 GHz
Access Time — 3.5 ns
Speed Grade — -046 (4266 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V / 1.8 V (per variant)
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch]
Operating Temperature (AAT:C) — 0C to +95C
Operating Temperature (AIT:C) — -40C to +95C
Operating Temperature (AUT:C) — -40C to +105C
Automotive Qualification (AUT variant) — AEC-Q100 qualified
データバス幅 — 64 bit
Write Cycle Time — 18 ns

データシート&リソース

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