H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G6NBJR-RDC von SK hynix und H5AN4G6NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,15 $6,60
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16 (268435456 words x 16 bits)
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle CMOS, fully synchronous DDR4 (double data rate, synchronous)
Package Code TFBGA (FBGA-96) TFBGA
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 96
Montageart Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet OTHER (per distributor listing)
Self Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
Memory Density — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Gehäuse — FBGA-96 (PBGA96), rectangular
Eigenschaften — Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade]
Data Rate / Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Process — CMOS

Datenblätter & Ressourcen

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