H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-RDC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,15 $6,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16 (268435456 words x 16 bits)
Tension d'alimentation 1.2 V —
Interface CMOS, fully synchronous DDR4 (double data rate, synchronous)
Package Code TFBGA (FBGA-96) TFBGA
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet OTHER (per distributor listing)
Self Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
Memory Density — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Boîtier — FBGA-96 (PBGA96), rectangular
Caractéristiques — Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade]
Data Rate / Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate]
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Process — CMOS

Fiches techniques et ressources

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