H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-PBC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-RDC por SK hynix y H5AN4G6NBJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,15 $6,60
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16 (268435456 words x 16 bits)
Tensión de alimentación 1.2 V —
Interfaz CMOS, fully synchronous DDR4 (double data rate, synchronous)
Package Code TFBGA (FBGA-96) TFBGA
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 96
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet OTHER (per distributor listing)
Self Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
Memory Density — 4 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Encapsulado — FBGA-96 (PBGA96), rectangular
Características — Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade]
Data Rate / Speed Grade — [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate]
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Process — CMOS

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