H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G6NBJR-RDC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,15 $2,40
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle CMOS, fully synchronous —
Package Code TFBGA (FBGA-96) —
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet —
Self Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
Speichergröße — 4 Gb
Memory Organization — 512M x8
Datenrate — 2666 Mbps (DDR4-2666)
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Gehäuse — FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Technology — CMOS DRAM
Volatile / Non-Volatile — Volatile
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate]
RoHS-Status — Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet)
Packaging — Tray
Lebenszyklusstatus — Active

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