H5AN4G6NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-UHC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G6NBJR-UHC von SK hynix und H5ANAG4NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN4G6NBJR-UHC | H5ANAG4NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,09 | $8,09 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Technology | CMOS | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Gehäuse | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | Yes |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| Schnittstelle | — | CMOS, DDR4 (double data rate) |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] |