H5AN4G6NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix y H5ANAG4NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G6NBJR-UHC | H5ANAG4NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,09 | $8,09 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Technology | CMOS | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | -40C to +95C |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | Yes |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| Interfaz | — | CMOS, DDR4 (double data rate) |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] |