H5AN4G6NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G6NBJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG4NBJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G6NBJR-UHC | H5ANAG4NBJR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.09 | $8.09 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Technology | CMOS | — |
| 동작 온도 | -40C to +95C | -40C to +95C |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA-96) | FBGA-96 (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | Yes |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| 인터페이스 | — | CMOS, DDR4 (double data rate) |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] |