H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-PBC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,20 $3,18
Memory Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Schnittstellentyp Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Gehäuse 78-ball FBGA TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
Density — 4 Gbit
Datenrate — 2400 Mbps (PC2400)
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — DDR4 (JEDEC)
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
RoHS-Status — Compliant (Rohs Code: Yes)
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]

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