H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,20 $3,18
Memory Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 8 512M x 8
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Type d'interface Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Boîtier 78-ball FBGA TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Sans halogène Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
Density — 4 Gbit
Débit de données — 2400 Mbps (PC2400)
Tension d'alimentation — 1.2 V
Interface — DDR4 (JEDEC)
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
Statut RoHS — Compliant (Rohs Code: Yes)
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]

Fiches techniques et ressources

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