H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,20 $3,18
Memory Density 4 Gbit —
Organización de memoria 512M x 8 512M x 8
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tipo de interfaz Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Encapsulado 78-ball FBGA TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
Density — 4 Gbit
Velocidad de datos — 2400 Mbps (PC2400)
Tensión de alimentación — 1.2 V
Interfaz — DDR4 (JEDEC)
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
Estado RoHS — Compliant (Rohs Code: Yes)
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]

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