H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-VKI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKI
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,18 $1,98
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Datenrate 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
Schnittstelle DDR4 (JEDEC) —
Gehäuse TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
RoHS-Status Compliant (Rohs Code: Yes) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)

Datenblätter & Ressourcen

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