H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,18 $1,98
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Скорость передачи данных 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps
Напряжение питания 1.2 V 1.2 V
Интерфейс DDR4 (JEDEC) —
Корпус TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-78
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
Статус RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену