H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKI
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,18 $1,98
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Taxa de dados 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Interface DDR4 (JEDEC) —
Encapsulamento TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
Status RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)

Fichas técnicas e recursos

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