H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-UHCR von SK hynix und H5AN4G8NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,18 $2,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) PBC
Versorgungsspannung 1.2 V (VDD) —
Schnittstelle DDR4 SSTL12 —
Internal Prefetch 8n —
Gehäuse 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Montageart Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free Yes Yes
Halogenfrei Yes Yes
RoHS-Status Compliant —
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] —
Memory Density — 4 Gbit
Schnittstellentyp — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C

Datenblätter & Ressourcen

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