H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHCR por SK hynix e H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,18 $2,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) PBC
Tensão de alimentação 1.2 V (VDD) —
Interface DDR4 SSTL12 —
Internal Prefetch 8n —
Encapsulamento 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes Yes
Status RoHS Compliant —
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Latência CAS [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] —
Memory Density — 4 Gbit
Tipo de interface — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C

Fichas técnicas e recursos

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